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Organic bistable memory devices based on MoO3 nanoparticle embedded Alq(3) structures

机译：基于MOO3纳米粒子嵌入式ALQ（3）结构的有机双稳态存储器件

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Organic bistable memory devices were fabricated by embedding a thin layer of molybdenum trioxide (MoO3) between two tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq(3)) layers. The device exhibited excellent switching characteristics with an ON/OFF current ratio of 1.15. x. 10(3) at a read voltage of 1 V. The device showed repeatable write-erase capability and good stability in both the conductance states. These conductance states are non-volatile in nature and can be obtained by applying appropriate voltage pulses. The effect of MoO3 layer thickness and its location in the Alq(3) matrix on characteristics of the memory device was investigated. The field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) images of the MoO3 layer revealed the presence of isolated nanoparticles. Based on the experimental results, a mechanism has been proposed for explaining the conductance switching of fabricated devices.
机译：通过在两个三（8-羟基喹啉）铝（Alq（3））层之间嵌入三氧化钼（MOO3）的薄层来制造有机双稳态存储器件。 该器件表现出优异的开关特性，开/关电流比为1.15。 X。 如图10（3）所示的读取电压为1V。该装置在电导状态下显示了可重复的写入擦除能力和良好的稳定性。 这些电导状态本质上是非挥发性的，并且可以通过施加适当的电压脉冲来获得。 研究了MOO3层厚度及其位置在ALQ（3）基质中的影响对存储器件的特性进行了研究。 Moo3层的场发射扫描电子显微镜（Fe-SEM）图像显示出隔离纳米颗粒的存在。 基于实验结果，已经提出了一种机构，用于说明制造装置的电导切换。

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