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【24h】

Electron beam induced etching of carbon nanotubes enhanced by secondary electrons in oxygen

机译：电子束诱导氧气增强的碳纳米管蚀刻氧气中的二次电子

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Multi-walled carbon nanotubes (CNTs) are subjected to electron-beam-induced etching (EBIE) in oxygen. The EBIE process is observed in situ by environmental transmission electron microscopy. The partial pressure of oxygen (10 and 100 Pa), energy of the primary electrons (80 and 200 keV), and environment of the CNTs (suspended or supported on a silicon nitride membrane) are investigated as factors affecting the etching rate. The EBIE rate of CNTs was markedly promoted by the effects of secondary electrons that were emitted from a silicon nitride membrane under irradiation by primary electrons. Membrane supported CNTs can be cut by EBIE with a spatial accuracy better than 3 nm, and a nanogap of 2 nm can be successfully achieved between the ends of two suspended CNTs.
机译：多壁碳纳米管（CNT）在氧中进行电子束诱导的蚀刻（EBIE）。 通过环境透射电子显微镜地原位观察到EBIE过程。 作为影响蚀刻速率的因素，研究了氧（10和100Pa），初级电子（80和200keV）的能量，以及CNT的环境（悬浮或在氮化硅膜上悬浮）的环境。 通过氮化硅膜排放的二次电子的影响明显促进CNT的eBIE率明显促进了初级电子照射的辐射。 膜支撑的CNT可以通过eBIE切割具有优于3nm的空间精度，并且可以在两个悬浮的CNT的末端之间成功实现2nm的纳米隙。

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