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【24h】

Selective Dirac voltage engineering of individual graphene field-effect transistors for digital inverter and frequency multiplier integrations

机译：用于数字逆变器和频率倍增器集成的单个石墨烯场效应晶体管的选择性DIRAC电压工程

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The ambipolar band structure of graphene presents unique opportunities for novel electronic device applications. A cycle of gate voltage sweep in a conventional graphene transistor produces a frequency-doubled output current. To increase the frequency further, we used various graphene doping control techniques to produce Dirac voltage engineered graphene channels. The various surface treatments and substrate conditions produced differently doped graphene channels that were integrated on a single substrate and multiple Dirac voltages were observed by applying a single gate voltage sweep. We applied the Dirac voltage engineering techniques to graphene field-effect transistors on a single chip for the fabrication of a frequency multiplier and a logic inverter demonstrating analog and digital circuit application possibilities.
机译：石墨烯的Ambipolar带结构为新颖的电子设备应用提供了独特的机会。 传统的石墨烯晶体管中的栅极电压扫描循环产生频率加倍的输出电流。 为了进一步增加频率，我们使用各种石墨烯掺杂控制技术来产生DIRAC电压工程石墨烯通道。 各种表面处理和基板条件产生的不同掺杂的石墨烯通道，其集成在单个基板上，并且通过施加单个栅极电压扫描来观察多个DIAC电压。 我们将DIRAC电压工程技术应用于单个芯片上的石墨烯场效应晶体管，用于制造频率倍增器和逻辑逆变器，演示模拟和数字电路应用可能性。

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