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Controlled growth of six-point stars MoS2 by chemical vapor deposition and its shape evolution mechanism

机译：通过化学气相沉积控制六点恒星MOS2的生长及其形状逸出机制

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摘要

Monolayer semiconductors of molybdenum disulfide (MoS2) crystals have drawn tremendous attention due to their extraordinary electronic and optical properties. A uniform and high-quality crystalline MoS2 monolayer is greatly needed in fundamental studies and practical applications. Three-point star to six-point star MoS2 nanosheets are readily synthesized in a controlled manner using the chemical vapor deposition method. A possible coalescent model is proposed to study the evolution of the six-point star MoS2 domain. A comparative study of field effect transistors are performed to disclose the negative effect of grain boundaries on the transport properties based on six-point star MoS2.
机译：由于其非凡的电子和光学性质，二硫化钼（MOS2）晶体的单层半导体具有巨大的关注。 在基本研究和实际应用中非常需要均匀和高质量的晶体MOS2单层。 使用化学气相沉积方法，以受控方式容易地合成三点恒星至六点之星MOS2纳米片。 提出了一种可能的聚结模型来研究六点星MOS2结构域的演变。 进行场效应晶体管的比较研究，公开了基于六点星MOS2的晶界对传输性质的负效应。

著录项

  • 来源
    《Nanotechnology》 |2017年第39期|共9页
  • 作者

    Zheng Wei; Qiu Yunfeng; Feng Wei; Chen Jingxin; Yang Huihui; Wu Shiwei; Jia Dechang; Zhou Yu; Hu PingAn;

  • 作者单位

    Harbin Inst Technol Minist Educ Key Lab Microsyst &

    Microstruct 2 YiKuang St Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;

    Harbin Inst Technol Minist Educ Key Lab Microsyst &

    Microstruct 2 YiKuang St Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;

    Harbin Inst Technol Minist Educ Key Lab Microsyst &

    Microstruct 2 YiKuang St Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;

    Fudan Univ Key Lab Micro &

    Nano Photon Struct MOE State Key Lab Surface Phys Shanghai 200433 Peoples R China;

    Harbin Inst Technol Minist Educ Key Lab Microsyst &

    Microstruct 2 YiKuang St Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;

    Fudan Univ Key Lab Micro &

    Nano Photon Struct MOE State Key Lab Surface Phys Shanghai 200433 Peoples R China;

    Harbin Inst Technol Sch Mat Sci &

    Engn Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;

    Harbin Inst Technol Sch Mat Sci &

    Engn Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;

    Harbin Inst Technol Minist Educ Key Lab Microsyst &

    Microstruct 2 YiKuang St Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 特种结构材料;
  • 关键词

    MoS2; control growth; grain boundary; electrical properties;

    机译：MOS2;控制增长;晶界;电气性质;

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