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Terahertz-infrared electrodynamics of single-wall carbon nanotube films

机译：单壁碳纳米管膜的太赫兹红外电动力学

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Broad-band (4-20 000 cm(-1)) spectra of real and imaginary conductance of a set of high-quality pristine and AuCl3-doped single-walled carbon nanotube (SWCNT) films with different transparency are systematically measured. It is shown that while the high-energy (>= 1 eV) response is determined by well-known interband transitions, the lower-energy electrodynamic properties of the films are fully dominated by unbound charge carriers. Their main spectral effect is seen as the free-carrier Drude-type contribution. Partial localization of these carriers leads to a weak plasmon resonance around 100 cm(-1). At the lowest frequencies, below 10 cm(-1), a gap-like feature is detected whose origin is associated with the energy barrier experienced by the carriers at the intersections between SWCNTs. It is assumed that these three mechanisms are universal and determine the low-frequency terahertz-infrared electrodynamics of SWCNT waferscale films.
机译：系统地测量了一组高质量原始和AuCl3掺杂的单壁碳纳米管（SWCNT）的宽带（4-20 000cm（-1））的谱进行系统地测量具有不同透明度的高质量原始和Aucl3掺杂的单壁碳纳米管（SWCNT）薄膜。 结果表明，虽然通过众所周知的间带转换确定高能量（> = 1eV）响应，但薄膜的较低能量电动性质完全由未结合电荷载波占主导地位。 它们的主要光谱效果被视为自由载体博德型贡献。 这些载体的部分定位导致弱等离子体共振约为100厘米（-1）。 在低于10cm（-1）的最低频率下，检测到间隙状特征，其起源与SWCNT之间交叉处的载波经历的能量屏障相关联。 假设这三种机制是通用的，并确定SWCNT晶片薄膜的低频太赫兹红外电动力学。

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