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Nano-cone resistive memory for ultralow power operation

机译：纳米锥电阻存储器，用于超级电力操作

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SiNx-based nano-structure resistive memory is fabricated by fully silicon CMOS compatible process integration including particularly designed anisotropic etching for the construction of a nano-cone silicon bottom electrode (BE). Bipolar resistive switching characteristics have significantly reduced switching current and voltage and are demonstrated in a nano-cone BE structure, as compared with those in a flat BE one. We have verified by systematic device simulations that the main cause of reduction in the performance parameters is the high electric field being more effectively concentrated at the tip of the cone-shaped BE. The greatly improved nonlinearity of the nano-cone resistive memory cell will be beneficial in the ultra-high-density crossbar array.
机译：基于SINX的纳米结构电阻存储器通过完全硅CMOS兼容的工艺集成来制造，包括特别设计的各向异性蚀刻，用于构造纳米锥硅底电极（BE）。 双极电阻切换特性具有显着降低的开关电流和电压，并且与扁平的纳米锥体结构进行了说明。 我们通过系统的设备模拟验证了性能参数减少的主要原因是高电场在锥形的尖端处更有效地集中。 纳米锥电阻存储器电池的大大改善的非线性在超高密度横杆阵列中是有益的。

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