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Realizing field-dependent conduction in ZnO nanowires without annealing

机译:在没有退火的情况下实现ZnO纳米线中的现场依赖传导

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摘要

We report on the low-temperature fabrication of field-effect transistors by bridging pre-patterned electrodes using ZnO nanowires grown in situ, which operate without requiring post-growth processing or annealing. The devices show good performance using as-grown nanowires, with on-off ratios of 105 and threshold voltages of 2 V. Electron microscopy shows the field-dependent nanowires hierarchically nucleate from larger ZnO nanorods, and both are oriented along a common c-axis. A high nanowire surface-to-volume ratio allows depleting electron traps on the nanowire surface to compensate intrinsic electron donors present throughout the nanowire bulk. This eliminates the need to reduce the electron concentration through high-temperature annealing, making the nanowires naturally field-dependent in their as-grown state.
机译:我们通过使用原位生长的ZnO纳米线桥接预图案电极来报告场效应晶体管的低温制造,其在不需要后生长的加工或退火的情况下操作。 该装置利用生长纳米线显示出良好的性能,具有105的开关比和2V的阈值电压。电子显微镜显示出从较大ZnO纳米棒的场依赖性纳米线,两者沿着共同的C轴定向 。 高纳米线面对体积比允许在纳米线表面上耗尽电子捕集器,以补偿整个纳米线散装的内在电子供体。 这消除了通过高温退火减少电子浓度的需要,使纳米线自然地依赖于它们的生长状态。

著录项

  • 来源
    《Nanotechnology》 |2017年第12期|共7页
  • 作者单位

    Victoria Univ Wellington Sch Chem &

    Phys Sci Wellington 6021 New Zealand;

    Univ Bordeaux CNRS ICMCB UPR 9048 87 Ave Docteur Schweitzer F-33600 Pessac France;

    Victoria Univ Wellington Sch Chem &

    Phys Sci Wellington 6021 New Zealand;

    Univ Bordeaux CNRS ICMCB UPR 9048 87 Ave Docteur Schweitzer F-33600 Pessac France;

    Victoria Univ Wellington Sch Chem &

    Phys Sci Wellington 6021 New Zealand;

    Univ Bordeaux CNRS ICMCB UPR 9048 87 Ave Docteur Schweitzer F-33600 Pessac France;

    Victoria Univ Wellington Sch Chem &

    Phys Sci Wellington 6021 New Zealand;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 特种结构材料;
  • 关键词

    ZnO nanowires; hydrothermal; field effect transistor;

    机译:ZnO纳米线;水热;场效应晶体管;

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