• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>RSC Advances >Influence of crystallinity on the thermoelectric power factor of P3HT vapour-doped with F4TCNQ
【24h】

Influence of crystallinity on the thermoelectric power factor of P3HT vapour-doped with F4TCNQ

机译：结晶度对F4TCNQ的P3HT气相热电功率因数的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Doping of the conjugated polymer poly(3-hexylthiophene) (P3HT) with the p-dopant 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8- tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ) is a widely used model system for organic thermoelectrics. We here study how the crystalline order influences the Seebeck coefficient of P3HT films doped with F4TCNQ from the vapour phase, which leads to a similar number of F4TCNQ anions and hence (bound + mobile) charge carriers of about 2 x 10(-4) mol cm(-3). We find that the Seebeck coefficient first slightly increases with the degree of order, but then again decreases for the most crystalline P3HT films. We assign this behaviour to the introduction of new states in the bandgap due to planarisation of polymer chains, and an increase in the number of mobile charge carriers, respectively. Overall, the Seebeck coefficient varies between about 40 to 60 mu V K-1. In contrast, the electrical conductivity steadily increases with the degree of order, reaching a value of more than 10 S cm(-1), which we explain with the pronounced influence of the semi-crystalline nanostructure on the charge-carrier mobility. Overall, the thermoelectric power factor of F4TCNQ vapour-doped P3HT increases by one order of magnitude, and adopts a value of about 3 mu W m(-1) K-2 in the case of the highest degree of crystalline order.
机译：用P掺杂剂2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四环喹啉二甲烷（F4TCNQ）掺杂共轭聚合物聚（3-己基噻吩）（P3HT）是用于有机热电的广泛使用的模型系统。我们在这里研究结晶顺序如何影响掺杂有F4TCNQ的P3HT膜的塞贝克系数，这导致了类似数量的F4TcNQ阴离子，因此（绑定+移动）电荷载体约为2×10（-4）摩尔cm（-3）。我们发现塞贝克系数首先以顺序的程度略微增加，但随后再次降低最晶体P3HT薄膜。由于聚合物链的平面化，我们将这种行为分配到引入带隙中的新状态，以及分别增加移动电荷载体数量的增加。总的来说，塞贝克系数在约40至60μmVk-1之间变化。相反，电导率随着顺序的程度而稳步增加，达到大于10 scm（-1）的值，我们用Semi结晶纳米结构对电荷载流子迁移率的显着影响。总的来说，F4TCNQ气相掺杂P3HT的热电电源因子在最高晶级度的情况下采用约3μWM（-1）K-2的值。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2018年第3期|共7页
  • 作者

    Hynynen Jonna; Kiefer David; Muller Christian;

  • 作者单位

    Chalmers Univ Technol Dept Chem &

    Chem Engn S-41296 Gothenburg Sweden;

    Chalmers Univ Technol Dept Chem &

    Chem Engn S-41296 Gothenburg Sweden;

    Chalmers Univ Technol Dept Chem &

    Chem Engn S-41296 Gothenburg Sweden;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号