• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>RSC Advances >Copper halide diselenium: predicted two-dimensional materials with ultrahigh anisotropic carrier mobilities
【24h】

Copper halide diselenium: predicted two-dimensional materials with ultrahigh anisotropic carrier mobilities

机译：卤化铜雌烯：预测具有超高各向异性载体迁移的二维材料

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

On the basis of first-principles calculations, we discuss a new class of two-dimensional materials-CuXSe2 (X = Cl, Br) nanocomposite monolayers and bilayers-whose bulk parent was experimentally reported in 1969. We show the monolayers are dynamically, mechanically and thermodynamically stable and have very small cleavage energies of similar to 0.26 J m(-2), suggesting their exfoliation is experimentally feasible. The monolayers are indirect-gap semiconductors with practically the same moderate band gaps of 1.74 eV and possess extremely anisotropic and very high carrier mobilities (e.g., their electron mobilities are 21 263.45 and 10 274.83 cm(2) V-1 s(-1) along the Y direction for CuClSe2 and CuBrSe2, respectively, while hole mobilities reach 2054.21 and 892.61 cm(2) V-1 s(-1) along the X direction). CuXSe2 bilayers are also indirect band gap semiconductors with slightly smaller band gaps of 1.54 and 1.59 eV, suggesting weak interlayer quantum confinement effects. Moreover, the monolayers exhibit high absorption coefficients (>10(5) cm(-1)) over a wide range of the visible light spectra. Their moderate band gaps, very high unidirectional electron and hole mobilities, and pronounced absorption coefficients indicate the proposed CuXSe2 (X = Cl, Br) nanocomposite monolayers hold significant promise for application in optoelectronic devices.
机译：在第一原理计算的基础上，我们讨论了一类新的二维材料 - CuxSe2（X = Cl，Br）纳米复合单层和双层 - 其批量父母于1969年进行了实验报道。我们显示单层动态地，机械地动态地进行和热力学稳定，具有非常小的裂解能量，类似于0.26J米（-2），表明它们的去角质是通过实验可行的。单层是间接间隙半导体，具有1.74eV的实际相同的中等带间隙，具有极其极偏相异性和非常高的载流子迁移（例如，它们的电子迁移率为21 263.45和10 274.83cm（2）V-1 S（-1）沿着CuClse2和Cubrse2的Y方向，孔迁移率沿X方向达到2054.21和892.61cm（2）V-1s（-1））。 Cuxse2双层也是间接带隙半导体，具有略小的带隙间隙为1.54和1.59eV，表明层间量子监禁效应弱。此外，单层在宽范围的可见光谱上表现出高吸收系数（> 10（5 )cm（-1））。它们适中的带间隙，非常高的单向电子和孔迁移率，以及发音的吸收系数表示所提出的CuxSe2（X = CL，BR）纳米复合单层对光电器件中的应用具有重要的应用。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2020年第14期|共11页
  • 作者

    Shojaei Fazel; Azizi Maryam; Mahdavifar Zabiollah; Wang Busheng; Frapper Gilles;

  • 作者单位

    Shahid Chamran Univ Ahvaz Fac Sci Dept Chem Ahwaz Iran;

    Inst Res Fundamental Sci IPM Sch Nanosci POB 19395-5531 Tehran Iran;

    Shahid Chamran Univ Ahvaz Fac Sci Dept Chem Ahwaz Iran;

    Univ Poitiers UMR 7285 IC2MP CNRS 4 Rue Michel Brunet TSA 51106 F-86073 Poitiers 9 France;

    Univ Poitiers UMR 7285 IC2MP CNRS 4 Rue Michel Brunet TSA 51106 F-86073 Poitiers 9 France;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号