机译:GE金属氧化物半导体器件上原子层沉积的ALN缓冲层的高k栅极堆叠的Geox界面层的抑制及高k栅极堆的电性能
Natl Taiwan Univ Dept Mat Sci &
Engn Taipei Taiwan;
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Acad Sinica Res Ctr Appl Sci Taipei Taiwan;
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机译:GE金属氧化物半导体器件上原子层沉积的ALN缓冲层的高k栅极堆叠的Geox界面层的抑制及高k栅极堆的电性能
机译:界面层对多层高k栅叠层金属氧化物薄膜晶体管器件性能的影响
机译:使用晶体ZrO_2高K / AI_2O_3缓冲层栅极堆叠抑制FinFET的短沟道效应,以实现低功耗器件应用
机译:使用HfON缓冲层增强HfTaSiON门控金属氧化物半导体器件的电特性
机译:具有原子层沉积的高k电介质的III-V沟道MOS器件:接口和载流子传输研究
机译:具有AlN界面层的单层MoS2 MOSFET的改进的栅介电沉积和增强的电稳定性
机译:通过水蒸气退火抑制具有高k栅极电介质的Ge金属氧化物半导体电容器中不稳定的低fr GeOx中间层的生长