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【24h】

The electrical properties and modulation of g-C3N4/beta-As and g-C3N4/beta-Sb heterostructures: a first principles study

机译：G-C3N4 /β-AS和G-C3N4 /β-SB异质结构的电性能和调节：第一个原理研究

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The electronic properties of the g-C3N4/beta-As and g-C3N4/beta-Sb heterojunctions are investigated via density functional theory. We find that both heterostructures are indirect band gap semiconductors that, when applied to a photocatalytic device, will suffer from inefficient light emission. Fortunately, the band gap of the two junctions can be adjusted by external biaxial strain. As strain increases from compression to extensive, both compounds undergo a transition from metals, indirect semiconductors to direct semiconductors. Moreover, due to the charge transfer, each junction forms a large built-in electric field, which helps to prevent the recombination of electrons and holes. Our results are expected to widen the potential applications of these heterojunctions in nanodevices.
机译：通过密度函数理论研究了G-C3N4 /β-AS和G-C3N4 / BETA-SB异质结的电子性质。 我们发现两种异质结构是间接带隙半导体，当施加到光催化装置时，将遭受低效率的发光。 幸运的是，可以通过外部双轴应变调节两个连接点的带隙。 随着应变从压缩增加到广泛，两种化合物都经历了从金属的过渡，间接半导体到直接半导体。 此外，由于电荷转移，每个结形成了一个大型内置电场，这有助于防止电子和孔的重组。 我们的结果预计将扩大纳米型情况下这些异质功能的潜在应用。

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  • 来源
    《RSC Advances》 |2019年第66期|共6页
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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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