• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>RSC Advances >Superconductivity of boron-doped graphane under high pressure
【24h】

Superconductivity of boron-doped graphane under high pressure

机译：高压下硼掺杂石墨的超导性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Based on first-principles calculations, the properties of B-doped graphane under high pressure up to 380 GPa are investigated. We find that B-doped graphane undergoes a phase transition from phase- to phase- at 6 GPa. Different from pristine graphane (X. Wen, L. Hand, V. Labet, T. Yang, R. Hoffmann, N. W. Ashcroft, A. R. Oganov and A. O. Lyakhov, Graphane sheets and crystals under pressure, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A., 2011, 108, 6833-6837), phase- of B-doped graphane is kinetically unstable. The calculated superconducting transition temperature of B-doped graphane at ambient pressure is 45 K, and pressurization can increase the transition temperature notably, e.g., 77 K at 100 GPa. Both the electronic states at the Fermi level and the electron-phonon coupling are mainly contributed by B-C characteristics, indicating that the B-doping plays a key role in the superconductivity.
机译：基于第一原理计算，研究了高达380GPa的高压下B掺杂石墨烷的性质。 我们发现B掺杂的Graphane经历从相位到相位到6GPa的相转变。 不同于原始石墨（X. Wen，L. Hand，V. Labet，T. Yang，R.Hoffmann，NW Ashcroft，Ar Ooganov和Ao Lyakhov，Graphane Shore和Crystals在压力下，Proc。Natl。Acad。Acad。美国 ，2011,108,6833-6837），B掺杂石墨的相位是动力学上不稳定的。 在环境压力下计算的B掺杂石墨烷的计算出的超导转变温度为45 k，并且加压可以显着地增加过渡温度，例如，在100gPa的77k。 FERMI水平和电子 - 声子耦合的电子状态主要由B-C特性贡献，表明B掺杂在超导中起着关键作用。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2019年第14期|共7页
  • 作者

    Cheng Ya; Wang Xianlong; Zhang Jie; Yang Kaishuai; Niu Caoping; Zeng Zhi;

  • 作者单位

    Chinese Acad Sci Inst Solid State Phys Key Lab Mat Phys Hefei 230031 Anhui Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Solid State Phys Key Lab Mat Phys Hefei 230031 Anhui Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Solid State Phys Key Lab Mat Phys Hefei 230031 Anhui Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Solid State Phys Key Lab Mat Phys Hefei 230031 Anhui Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Solid State Phys Key Lab Mat Phys Hefei 230031 Anhui Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Solid State Phys Key Lab Mat Phys Hefei 230031 Anhui Peoples R China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号