• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>RSC Advances >Electron polarons in the subsurface layer of Mo/W-doped BiVO4 surfaces
【24h】

Electron polarons in the subsurface layer of Mo/W-doped BiVO4 surfaces

机译：电子极化子在Mo / W掺杂的Bivo4表面的地下层中

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Monoclinic BiVO4 has been regarded as a promising photocatalyst for water splitting in recent years. In this research, the effects of Mo/W dopants near the surfaces of BiVO4 on electron transport are investigated using first-principles calculations. We demonstrate that the additional electron introduced by Mo/W either in the bulk or near the surfaces forms a self-trapped small polaron. The polaron prefers to be localized on the transition metal ions in the subsurface layer when Mo/W is doped in the vicinity of the surfaces. The localized positions of polarons can be rationalized by the d-orbital energy levels of the transition metals and the variation of electrostatic potential. The concentrated electron polarons in the subsurface layer of BiVO4 surfaces can build fast lanes for electron migration and mitigate the electron-hole recombination process, which underlines the importance of dopants near the surfaces as compared with those in the bulk.
机译：近年来，单醚Bivo4被认为是一种有前途的光催化剂，近年来水分分裂。 在该研究中，使用一致原理计算研究了BIVO4表面上的MO / W掺杂剂附近电子传输的影响。 我们表明由Mo / W引入的额外电子在散装或附近的散装中形成自捕获的小极化子。 当Mo / W掺杂在表面附近时，极化子更喜欢在地下层中的过渡金属离子上定位。 可以通过过渡金属的D-轨道能量水平和静电势的变化来合理地利用静电电位的局部位置。 Bivo4表面的地下层中的浓缩电子极化可以为电子迁移构建快速通道，并减轻电子空穴重组过程，这强调了与散装中的掺杂剂附近掺杂剂附近的重要性。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2019年第2期|共5页
  • 作者

    Cen Jianhang; Li Shunning; Zheng Jiaxin; Pan Feng;

  • 作者单位

    Peking Univ Shenzhen Grad Sch Sch Adv Mat Shenzhen 518055 Peoples R China;

    Peking Univ Shenzhen Grad Sch Sch Adv Mat Shenzhen 518055 Peoples R China;

    Peking Univ Shenzhen Grad Sch Sch Adv Mat Shenzhen 518055 Peoples R China;

    Peking Univ Shenzhen Grad Sch Sch Adv Mat Shenzhen 518055 Peoples R China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号