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Double cascade dressed MOSFET from doped Eu(3+)and Pr3+ in a host YPO4

机译:从掺杂EU(3+)和PR3 +的双级级联衣服MOSFET在主机YPO4中

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摘要

In this paper, we study double cascade dressed optical metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) by exploiting enhancement and suppression for mixed-phase (hexagonal + tetragonal) of Eu3+:YPO4 and different phases (hexagonal + tetragonal and pure tetragonal) of Pr3+:YPO4 crystals. We report variation of fine structure energy levels in different doped ions (Eu3+ and Pr3+) in the host YPO crystal. We compared multi-level energy transition from a single dressing laser with single level energy transition from double cascade dressing lasers. Gate delay facilitates multi-energy level dressed transition and is modeled through a Hamiltonian. Based on the results of double cascade dressing, we have realized MOSFET for logic gates (inverter and logic not and gate) with a switching contrast of about 92% using a mixed phase of Pr3+:YPO4.
机译:在本文中,我们研究了通过利用Eu3 +:YPO4和不同阶段(六边形+四方和纯四方)的混合相(六边形+四方)的增强和抑制来研究双级级级级式光学金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) PR3 +:YPO4晶体。 我们在宿主YPO晶体中报告了不同掺杂离子(EU3 +和PR3 +)的细结构能量水平的变化。 我们将多级能量过渡与单级能量过渡的单层能量过渡与双级联敷料激光器相比。 闸门延迟有助于多能级穿着过渡,并通过Hamiltonian建模。 基于双级级级敷料的结果,我们使用PR3 +:YPO4的混合相位实现了用于逻辑门(逆变器和逻辑而非和栅极)的MOSFET,其开关对比度约为92%。

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  • 来源
    《RSC Advances》 |2019年第66期|共6页
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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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