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Synthesis and thermoelectric properties of defect-containing PbSe-PbTe heterojunction nanostructures

机译：含缺陷PBSE-PBTE异质结纳米结构的合成与热电性能

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A facile and controllable approach has been devised to synthesize PbSe-PbTe heterogeneous nanostructures (HNSs). The defects could be modulated simply by controlling the addition of Se and Te precursors. High-resolution transmission electron microscopy and electron energy-loss spectroscopy show the defect structures in the interface and the distribution of PbSe and PbTe, respectively. Geometric phase analysis based on HRTEM imaging reveals the strain distribution in the defect-free and defect-containing PbSe-PbTe HNSs. The strain distribution and defects in the interface of the PbSe-PbTe HNSs affect the Seebeck coefficient and the electrical conductivity of the PbSe-PbTe HNSs.
机译：已经设计了一种容易和可控的方法来合成PBSE-PBTE异质纳米结构（HNSS）。 通过控制加法和TE前体可以简单地调节缺陷。 高分辨率透射电子显微镜和电子能损光谱分别显示了界面中的缺陷结构和PBSE和PBTE的分布。 基于HRTEM成像的几何相分析显示出缺陷和含缺陷的PBSE-PBTE HNSS中的应变分布。 PBSE-PBTE HNS的界面中的应变分布和缺陷影响PBSE-PBTE HNSS的塞贝克系数和电导率。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2017年第85期|共6页
  • 作者

    Li Ying; Bi Han; Du Yong; Che Renchao;

  • 作者单位

    Fudan Univ Lab Adv Mat Dept Mat Sci Collaborat Innovat Ctr Chem Energy Mat Shanghai 200438 Peoples R China;

    Fudan Univ Lab Adv Mat Dept Mat Sci Collaborat Innovat Ctr Chem Energy Mat Shanghai 200438 Peoples R China;

    Shanghai Inst Technol Sch Mat Sci &

    Engn Shanghai 201418 Peoples R China;

    Fudan Univ Lab Adv Mat Dept Mat Sci Collaborat Innovat Ctr Chem Energy Mat Shanghai 200438 Peoples R China;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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