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首页> 外文期刊>Optics Letters >Gallium indium phosphide microstructures with suppressed photoluminescence for applications in nonlinear optics
【24h】

Gallium indium phosphide microstructures with suppressed photoluminescence for applications in nonlinear optics

机译：镓铟磷化物微观结构，具有抑制光致发光的非线性光学应用

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摘要

Gallium indium phosphide (Ga0.51In0.49P), lattice matched to gallium arsenide, shows remarkable second-order nonlinear properties, as well as strong photoluminescence (PL) due to its direct band gap. By measuring the second-harmonic generation from the GaInP microwave-guide (0.2 x 11 x 1300 mu m) before and after stimulating intrinsic photobleaching, we demonstrate that the PL could be strongly suppressed (-34 dB), leaving the nonlinear properties unchanged, making it suitable for low-noise applications. (C) 2019 Optical Society of America
机译：磷化镓铟（Ga0.51In0.49p），与砷化镓匹配的晶格，显示出显着的二阶非线性性质，以及由于其直接带隙而具有强烈的光致发光（PL）。 通过在刺激内在光博之前和之后测量从GAINP微波 - 导向器（0.2×11×1300μm）的二次谐波产生，我们证明了PL可能会强烈抑制（-34dB），使非线性特性保持不变， 使其适用于低噪声应用。 （c）2019年光学学会

著录项

  • 来源
    《Optics Letters》 |2019年第21期|共4页
  • 作者

    De Luca Eleonora; Visser Dennis; Anand Srinivasan; Swillo Marcin;

  • 作者单位

    KTH Royal Inst Technol Sch Engn Sci SCI Roslagstullsbacken 21 SE-10691 Stockholm Sweden;

    KTH Royal Inst Technol Sch Engn Sci SCI Electrum 229 SE-16440 Kista Sweden;

    KTH Royal Inst Technol Sch Engn Sci SCI Electrum 229 SE-16440 Kista Sweden;

    KTH Royal Inst Technol Sch Engn Sci SCI Roslagstullsbacken 21 SE-10691 Stockholm Sweden;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 计量学;光学;
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