机译:中红外磷化镓晶体中红外线差频产生
CNR INO Via N Carrara 1 I-50019 Sesto Fiorentino Italy;
INRIM Ist Nazl Ric Metrol Str Cacce 91 I-10135 Turin Italy;
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BAE Syst Inc MER15-1813 POB 868 Nashua NH 03061 USA;
Nazarbaev Univ Sch Sci &
Technol Dept Phys Kabanbay Batyr 53 Astana 010000 Kazakhstan;
CNR INO Via N Carrara 1 I-50019 Sesto Fiorentino Italy;
机译:中红外磷化镓晶体中红外线差频产生
机译:基于定向图案镓磷化镓的多国瓦特,可调,连续波,中红外一代跨越4.6-4.7μm
机译:定向模式砷化镓中基于差频产生的具有毫瓦级输出的可广泛调谐的单频连续波中红外源
机译:定向图案化磷化镓(OP-GaP)晶体在中红外连续波差频率的产生
机译:使用晶片融合技术将定向图案化的砷化镓和磷化镓模板用于倍频应用。
机译:瓦特级超倍频程中红外脉内差分频率生成
机译:定向图案化的磷化镓晶体在中红外产生差频