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Deuterated silicon nitride photonic devices for broadband optical frequency comb generation

机译：用于宽带光学频率梳状的氘硅氮化硅光子器件

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We report and characterize low-temperature, plasma-deposited deuterated silicon nitride films for nonlinear integrated photonics. With a peak processing temperature less than 300 degrees C, it is back-end compatible with complementary metal-oxide semiconductor substrates. We achieve microresonators with a quality factor of up to 1.6 x 10(6) at 1552 nm and 1.2 x 10(6) throughout lambda = 1510-1600 nm, without annealing or stress management (film thickness of 920 nm). We then demonstrate the immediate utility of this platform in nonlinear photonics by generating a 1 THz free-spectral-range, 900 nm bandwidth modulation-instability microresonator Kerr comb and octave-spanning, supercontinuum-broadened spectra.
机译：我们报告并表征低温，等离子体沉积的非线性集成光子型氮化硅氮化硅膜。 具有小于300摄氏度小于300℃的峰值处理温度，其后端与互补金属氧化物半导体基板兼容。 我们在1552nm和 1.2 x 10（6）中达到1.6×10（6）的质量因子的微生物，在整个λ= 1510-1600nm，无退火或应力管理（膜厚度为920nm）。 然后，我们通过产生1 THz自由光谱范围，900nm带宽调制 - 不稳定微谐振器Kerr Comb和Octave-and，超连续扩大光谱来展示该平台在非线性光子中的直接效用。

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