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【24h】

Bias-selectable three-color short-, extendedshort-, and mid-wavelength infrared photodetectors based on type-II InAs/GaSb/AlSb superlattices

机译：基于II型INAS / GASB / ALSB超图形的偏置可选择的三色短，extendsshort-和中波长红外光电探测器

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A bias-selectable, high operating temperature, three-color short-, extended-short-, and mid-wavelength infrared photodetector based on InAs/GaSb/AlSb type-II superlattices on GaSb substrate has been demonstrated. The short-, extended-short-, and mid-wavelength channels' 50% cutoff wavelengths were 2.3, 2.9, and 4.4 mu m, respectively, at 150 K. The mid-wavelength channel exhibited a saturated quantum efficiency of 34% at 4 mu m under 200 mV bias voltage in a front-side illumination configuration and without any antireflection coating. At 200 mV, the device exhibited a dark current density of 8.7 x 10(-5) A/cm(2) providing a specific detectivity of similar to 2 x 1011 cm center dot Hz(1/2)/W at 150 K. The short-wavelength channel achieved a saturated quantum efficiency of 20% at 1.8 mu m. At -10 mV, the device's dark current density was 5.5 x 10(-8) A/cm(2). At zero bias, its specific detectivity was 1 x 1011 cm center dot Hz(1/2)/W at 150 K. The extended short-wavelength channel achieved a saturated quantum efficiency of 22% at 2.75 mu m. Under -2 V bias voltage, the device exhibited a dark current density of 1.8 x 10(-6) A/cm(2) providing a specific detectivity of 6.3 x 1011 cm center dot Hz(1/2)/W at 150 K. (C) 2017 Optical Society of America
机译：基于INAS / GASB / ALSB Type-II超晶格的偏置可选择，高工作温度，三色短，延伸短路和中波长红外光电探测器已经证明了GASB基板上的II超晶格。短 - ，延伸短路和中波长通道的50％截止波长分别为150 K分别为2.3,2.9和4.4μm，中波长通道在4时显示出饱和量子效率为34％ MU M在前侧照明配置中的200 MV偏置电压下，没有任何抗反射涂层。在200mV下，该装置表现出8.7×10（ - 5）A / cm（2）的暗电流密度，其提供与150k的2×1011cm中心点Hz（1/2）/ W类似的特定检测率。短波长通道在1.8μm下实现了20％的饱和量子效率。在-10 mV下，器件的暗电流密度为5.5×10（-8）A / cm（2）。在零偏置时，其特定的检测率为150k，其特定的检测率为1×1011cm中心点Hz（1/2）/ W.延伸的短波长通道在2.75μm下达到饱和量子效率为22％。在-2V偏置电压下，该装置表现出1.8×10（ - 6）A / cm（2）的暗电流密度，提供6.3×1011cm中心点Hz（1/2）/ w的特定检测率为150 k 。（c）2017年光学学会

著录项

  • 来源
    《Optics Letters》 |2017年第21期|共4页
  • 作者

    Haddadi Abbas; Razeghi Manijeh;

  • 作者单位

    Northwestern Univ Dept Elect Engn &

    Comp Sci Ctr Quantum Devices Evanston IL 60208 USA;

    Northwestern Univ Dept Elect Engn &

    Comp Sci Ctr Quantum Devices Evanston IL 60208 USA;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 计量学;光学;
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