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首页> 外文期刊>Physical chemistry chemical physics: PCCP >XANES study of vanadium and nitrogen dopants in photocatalytic TiO2 thin films
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XANES study of vanadium and nitrogen dopants in photocatalytic TiO2 thin films

机译：光催化TiO2薄膜钒和氮掺杂剂的Xanes研究

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We report an X-ray absorption near edge structure (XANES) study of vanadium (V) and nitrogen (N) dopants in anatase TiO2 thin films deposited by radio-frequency magnetron sputtering. Measurements at the Ti K and V K edges were combined with soft X-ray experiments at the Ti L-2,L-3, O K and N K edges. Full potential ab initio spectral simulations of the V, O and N K-edges were carried out for different possible configurations of substitutional and interstitial dopant-related point defects in the anatase structure. The comparison between experiments and simulations demonstrates that V occupies substitutional cationic sites (replacing Ti) irrespective of the film structure and dopant concentration (up to 4.5 at%). On the other hand, N is found both in substitutional anionic sites (replacing O) and as N-2 dimers within TiO2 interstices. The dopants' local structures are discussed with reference to the enhanced optical absorption and photocatalytic activity achieved by (co)doping.
机译：通过射频磁控溅射沉积的锐钛矿TiO2薄膜中的钒（V）和氮气（N）掺杂剂的边缘结构（XANES）研究附近的X射线吸收。 Ti K和V K边缘的测量与Ti L-2，L-3，O K和N k边缘的软X射线实验组合。 对于锐钛矿结构中的不同可能和间质掺杂剂相关点缺陷的不同可能配置，对V，O和N k边的全潜能AB初始光谱仿真进行了脱落。 实验和模拟之间的比较表明V upplies up upportyal阳离子位点（更换ti），而不管薄膜结构和掺杂剂浓度（高达4.5at％）。 另一方面，在替代阴离子点（替换O）中的N是N-2二聚体中的n被发现在TiO2间隙中。 掺杂剂的局部结构是参考通过（共）掺杂的增强的光学吸收和光催化活性讨论。

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