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首页> 外文期刊>Physical chemistry chemical physics: PCCP >Solution-processed resistive switching memory devices based on hybrid organic-inorganic materials and composites
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Solution-processed resistive switching memory devices based on hybrid organic-inorganic materials and composites

机译：基于杂化有机无机材料和复合材料的解决方案处理的电阻开关器件

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Resistive random-access memory (ReRAM) is expected to be the next-generation non-volatile memory device because of its fast operation speed and low power consumption. Switching media in most ReMAM are oxides which are rigid and require high-temperature processing. Here, we review two emerging types of low-cost solution-processed ReRAMs with sandwich structures: one is hybrid nanocomposites with charge-trapping nanoparticles (NPs) embedded in a polymer matrix, and the other is hybrid halide perovskites which have been intensively investigated recently for optoelectronic applications. We will review the recent developments in materials selection, device performance and operation mechanisms. Resistive switching in hybrid materials and composites is ubiquitous because of the abundant existence of charge-trapping defects and interfaces. The future challenges and potential breakthroughs will also be outlined.
机译：由于其快速操作速度和低功耗，电阻随机存取存储器（RERAM）预计是下一代非易失性存储器件。 切换介质在大多数污染中是刚性的氧化物，并且需要高温处理。 在这里，我们回顾了具有夹层结构的两个新出现的低成本解决方案的次数：一种是嵌入在聚合物基质中的电荷捕获纳米颗粒（NPS）的混合纳米复合材料，另一个是最近被密集地研究的杂交卤化物钙钛矿 用于光电应用。 我们将审查最近的材料选择，设备性能和操作机制的发展。 由于电荷捕获缺陷和界面的充分存在，混合材料和复合材料中的电阻切换是普遍无处不在的。 还将概述未来的挑战和潜在的突破。

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