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首页> 外文期刊>Physica status solidi, B. Basic research >Model for the deep defect-related emission bands between 1.4 and 2.4 eV in AlN
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Model for the deep defect-related emission bands between 1.4 and 2.4 eV in AlN

机译：在ALN中的1.4和2.4eV之间的深度缺陷相关发射带的模型

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We report on defect-related photoluminescence bands in the range from 1.4 to 2.4 eV in aluminum nitride bulk crystals and layers. Using continuous photoluminescence, photoluminescence excitation, and time-resolved photoluminescence spectroscopy, we assign these bands to donor-acceptor pair transitions between shallow donor states or related slightly deeper DX- states of silicon or oxygen donors, and three different types of deep acceptors. These three different acceptors are most likely a (V-Al - 2(O-N)) complex, a (V-Al - O-N) complex, and an aluminum vacancy V-Al, or different charge states of these. (C) 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
机译：我们在氮化铝块状晶体和层中报告了1.4至2.4eV的缺陷相关的光致发光带。 使用连续光致发光，光致发光激发和时间分辨的光致发光光谱，我们将这些带分配给浅供体态之间的供体 - 受体对转变，或者略深的硅或氧气供体的略深态，以及三种不同类型的深层受体。 这三种不同的受体很可能是（V-Al - 2（O-N））复合物，A（V-Al - O-N）复合物，以及它们的铝空位V-Al或不同的电荷状态。 （c）2017 Wiley-VCH Verlag GmbH＆Co.Kgaa，Weinheim

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