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机译:MNAs / InAs / GaAs(111)B杂种结构的面内各向同性磁性和电性能
JAIST CNMT 1-1 Asahidai Nomi Ishikawa 9231292 Japan;
JAIST CNMT 1-1 Asahidai Nomi Ishikawa 9231292 Japan;
Molecular beam epitaxy (MBE); MnAs; InAs; GaAs (111)B; Magnetic properties; Transmission line model (TLM); Lateral spin-valve (LSV);
机译:MNAs / InAs / GaAs(111)B杂种结构的面内各向同性磁性和电性能
机译:在精确的GaAs(111)B衬底上生长的外延MnAs / NiAs / MnAs异质结构的生长和磁性
机译:精确(111)B GaAs衬底上单晶MnAs / AlAs / MnAs磁性隧道结的外延生长和磁性质:超薄GaAs缓冲层的影响
机译:精确111 B GaAs衬底上单晶MnAs / AlAs / MnAs磁性隧道结的外延生长和磁性能:超薄GaAs缓冲层的作用
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机译:通过各种温度下通过横向非局部旋转阀测量在GaAs(111)B上的MNAS / GaAs / InAs混合系统中的旋转注射和检测