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首页> 外文期刊>The journal of physical chemistry, C. Nanomaterials and interfaces >First-Principle Study of Phosphine Adsorption on Si(001)-2 x 1-Cl
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First-Principle Study of Phosphine Adsorption on Si(001)-2 x 1-Cl

机译：Si（001）-2 x 1-cl上膦吸附的第一原理研究

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This paper presents a density functional theory study for phosphine adsorption on a Si(001)-2 X 1 surface covered by a chlorine monolayer, including adsorption on local defects, i.e., mono- and bivacancies in the adsorbate layer (Cl, Cl-2), and combined vacancies with removed silicon atoms (SiCl, SiCl2). Activation barriers were found for the adsorbing PH3 to dissociate into PH2 + H and PH + H-2 fragments; it was also established that phosphine dissociation on combined vacancies is possible at room temperature. If there is a silicon vacancy on the surface, phosphorus settles in the Si(001) lattice as PH (if the vacancy is SiCl) or as PH2 (if the vacancy is SiCl2). This paper suggests a method to plant a separate phosphorus atom into the silicon surface layer with atomic precision, using phosphine adsorption on defects specially created on a Si(001)-2 X 1 Cl surface with a scanning tunneling microscope tip.
机译：本文呈现了氯单层覆盖的Si（001）-2×1表面上的膦吸附的密度泛函理论研究，包括对局部缺陷的吸附，即吸附层中的单缺陷，单体和生物高原（Cl，Cl-2 ），并将残余硅原子（SiCl，SiCl2）组合的空位。 发现吸附pH3的活化屏障以解离pH2 + H和pH + H-2碎片; 还确定了在室温下可以进行组合空位的膦解离。 如果表面上存在硅空位，则磷在Si（001）晶格中沉积，作为pH（如果空位是SiCl）或作为pH2（如果空位是SiCl2）。 本文建议用原子精度将单独的磷原子植入硅表面层中的方法，使用磷酸吸附在具有扫描隧道显微镜尖端的Si（001）-2×1 Cl表面上特别产生的缺陷。

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