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【24h】

Performance Analysis and Investigation of Subthreshold Short-Channel Behavior of a Dual-Material Elliptical Gate-All-Around MOSFET

机译：双重材料椭圆形门 - 全部MOSFET亚阈值短信行为的性能分析与调查

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The current investigation encompasses a detailed subthreshold short-channel performance analysis of a structure, namely a dual-material elliptical gate-all-around metal-oxide semiconductor field-effect transistor (DM EGAA MOSFET). This quasi-three-dimensional scaling length-based model features expression of central bottom potential from which parameters like threshold voltage and electric field have also been studied. The extent of immunity of the proposed device towards the different short-channel effects (SCEs) has also been studied. The analytical models are validated using ATLAS simulation data.
机译：目前的研究包括一个结构的详细亚阈值短信道性能分析，即双重材料椭圆栅 - 全绕金属氧化物半导体场效应晶体管（DM EGAA MOSFET）。 该基于准三维缩放长度的模型，中央底部电位的表达还研究了阈值电压和电场等参数。 还研究了所提出的装置对不同短信效应（SCES）的免疫程度。 使用ATLAS仿真数据验证分析模型。

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