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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Enhanced ultraviolet photoresponse in a graphene-gated ultra-thin Si-based photodiod
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Enhanced ultraviolet photoresponse in a graphene-gated ultra-thin Si-based photodiod

机译：增强型紫外光响应在石墨烯 - 门控超薄SI的光电二极管中

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We present an ultra-thin lateral SOI PIN photodiode with transferred monolayer graphene as the transparent gate, to provide enhanced ultraviolet (UV) performance and mechanical flexibility beyond standard Si-based devices. The device dark current shows intact characteristics after the post-CMOS thinning and graphene transfer processing steps. The device responsivity presents high potential in UV and visible wavelength detections (i.e. within the 200-900 nm range) under monochromatic light illumination. A maximum responsivity of 0.18 A W-1 has been experimentally achieved at 390 nm wavelength and validated by simulation, for a diode with intrinsic length L-i of 20 mu m. Additionally, the similar to 5 mu m-thick device chip with direct board assembly paves the way towards the development of hybrid flexible electronics.
机译：我们将超薄横向SOI销光电二极管作为透明栅极作为透明栅极呈现，以提供增强的紫外线（UV）性能和基于标准Si的装置的机械柔性。 在后CMOS细化和石墨烯转移处理步骤后，器件暗电流显示完整的特性。 根据单色光照射，该器件响应率在UV和可见波长检测中具有高潜力和可见波长检测（即，在200-900nm范围内）。 在390nm波长下，在390nm波长和通过模拟验证的最大响应率，对于具有20μm的固有长度L-I的二极管，通过模拟验证。 此外，类似于5亩M厚的装置芯片，带有直接板组件铺平了朝向混合柔性电子产品的开发的方式。

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