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Study of the photoresponse behavior of a high barrier Pd/MoS2/Pd photodetector

机译：高屏障PD / MOS2 / PD光电探测器的光响应行为研究

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Photoresponse characteristics of monolayer MoS2 based metal-semiconductor-metal devices using high work function metal palladium have been investigated. The Pd-MoS2 based MSM device shows a very low dark current of the order of pA. The device exhibits significant current enhancement after illumination with the responsivity of 0.8 A W-1 at power density of 2 mW cm(-2) for 650nm laser. The linear dependence of photocurrent with power density reveals that the trap states have much less effect on the performance of the fabricated device. Responsivity was observed to enhance with the increasing power density of incident laser. The optoelectronic performance of the fabricated device was examined by current measurement at higher operating temperatures up to 120 degrees C and photo to dark current ratio showed decrement with the increase in temperature.
机译：研究了使用高功函数金属钯的单层MOS2金属半导体 - 金属装置的光响应特性。 基于PD-MOS2的MSM器件显示了PA的顺序的非常低的暗电流。 在照明后，该装置在650nm激光器的功率密度为0.8aW-1的响应性后表现出显着的电流增强。 光电流具有功率密度的线性依赖性表明捕集状态对制造装置的性能的影响较小。 观察到反应性，以增强引起的引发激光的功率密度增加。 通过电流测量在高达120℃的较高工作温度下的电流测量检查制造装置的光电性能，并且照片与温度升高显示到暗电流比。

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