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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Electrical active defects in HfO2 based metal/oxide/metal devices
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Electrical active defects in HfO2 based metal/oxide/metal devices

机译：基于HFO2金属/氧化物/金属装置的电动活性缺陷

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Dielectric as well as thermally stimulated current measurements were performed on metal/HfO2/Pt capacitors in order to study the electrical active defects in hafnia thin films. Two thermally activated relaxation processes have been carried out from both measurements. At low temperatures, the relaxation process can be ascribed to the shallow traps level localized at 0.65 eV and generally evidenced by the second ionization of oxygen vacancies. At high temperatures, the relaxation process arises from the diffusion of positively charged oxygen vacancies by overcoming an energetic barrier of about 1 eV.
机译：对金属/ HFO2 / PT电容器进行电介质以及热刺激的电流测量，以研究Hafnia薄膜中的电活性缺陷。 两种热激活的弛豫过程已经从两种测量中进行。 在低温下，松弛过程可以归因于在0.65eV的浅陷阱水平上，并且通常通过氧空位的第二电离而证明。 在高温下，通过克服大约1eV的能量屏障来源于带正电氧空位的扩散来源的弛豫过程。

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