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三菱電機、1cm角に大面積化した炭化ケイ素パワー半導体を開発

机译:碳化硅电力半导体的研制在很大程度上与三菱电动,1厘米角

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摘要

三菱電機は炭化ケイ素(SiC)を使った世界最大サイズの1cm~2大のパワー半導体トランジスタを開発した。チップの大面積化に伴うスイッチング動作のバラつきを解消する配線構造を考案し、従来比4倍の電流を1チップでスイッチングできることを確認した。開発したのほSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。
机译:三菱电动开发了1厘米-2功率半导体晶体管,具有世界上最大尺寸的碳化硅(SIC)。 已经设计了用于解决与芯片的大面积相关联的切换操作变化的布线结构,并确认了电流比的电流可以用一个芯片切换。 金属氧化物薄膜半导体场效应晶体管(MOSFET)的开发SIC。

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