高純度·高品質SiCを用いた耐圧10kVのPiNダイオード

木本恒暢

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高純度·高品質SiCを用いた耐圧10kVのPiNダイオード

机译：10kv耐压高纯度和高品质SiC

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10kV以上の超高耐圧応用には、SiCバイポーラデバイスが有望である。本稿では、超高耐圧デバイス作製に必要な高純度·高品質SiCの高速エピタキシャル成長技術、および改良傾斜メサを用いた接合終端構造を紹介し、耐圧10kVのPiNダイオードの試作結果について述べる。

机译：SIC双极设备具有10 kV或更高的超高电压应用。在本文中，我们引入了生产超高耐压装置的高纯度和高质量的SIC高速外延生长技术，以及使用改进的倾斜蒙皮的结终端结构，并描述了10 kV耐电压的引脚二极管的原型。

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来源
《工業材料》 |2009年第10期|共5页
作者
木本恒暢;
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作者单位

京都大学〒615－8510　京都市西京区京都大学桂;

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原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类工程材料学;
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