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【24h】

ウエハー上にGaN素子形成するパワー半導体で基礎技術

机译:电力半导体基础技术在晶圆上形成GaN元件

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摘要

三菱化学や富士電機、豊田中央研究所、京都大学、産業技術総合 研究所などの共同チームは、窒化ガリウム(GaN)のウエハー上にGaN素子を形成するパワー半導体の基礎技術を開発した。GaNパワー半導体は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の次世代技術。日本は発光ダイオード(LED)の開発などでGaN素子の技術には蓄積があり、GaNウエハーの生産も世界トップシェア。開発した技術を実用化できれば、世界で優位に立てる。
机译:三菱化学品,富士电器,丰田Chuo研究所,京都大学和工业技术研究所等,开发了一种在氮化镓晶圆上形成GaN元素的功率半导体基本技术。 GaN Power Semiconducton是一种用于碳化硅(SIC)功率半导体的下一代技术。 日本已经积累了GaN设备技术,例如发光二极管(LED)的开发,GaN晶片生产也是顶级共享。 如果开发的技术可以施加实际使用,它将在世界上占主导地位。

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