ウエハー上にGaN素子形成するパワー半導体で基礎技術

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ウエハー上にGaN素子形成するパワー半導体で基礎技術

机译：在晶圆上形成GaN元素的功率半导体的基本技术

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三菱化学や富士電機、豊田中央研究所、京都大学、産業技術総合研究所などの共同チームは、窒化ガリウム（GaN）のウエハー上にGaN素子を形成するパワー半導体の基礎技術を開発した。GaNパワー半導体は炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の次世代技術。日本は発光ダイオード（LED）の開発などでGaN素子の技術には蓄積があり、GaNウエハーの生産も世界トップシェア。開発した技術を実用化できれば、世界で優位に立てる。

机译：由三菱化学，富士电机，丰田中央研究院，京都大学和工业技术研究院组成的联合小组已开发出在氮化镓（GaN）晶片上形成GaN元素的功率半导体的基本技术。 GaN功率半导体是碳化硅（SiC）功率半导体的下一代技术。由于发光二极管（LED）的发展，日本已经积累了GaN元素技术，并且在GaN晶片的生产中占有世界第一的份额。如果将开发的技术付诸实践，它将在世界上具有优势。

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来源
《工業材料》 |2017年第3期|共2页
作者
工業材料 group;
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原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类工程材料学;工程材料一般性问题;
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