サージ電圧とスイッチング損失の抑制に効果がある：MHz以上でも低損失スイッチングできるゲート駆動回路

清水敏久; Toshihisa Shimizu

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【24h】

サージ電圧とスイッチング損失の抑制に効果がある：MHz以上でも低損失スイッチングできるゲート駆動回路

机译：它有效地抑制浪涌电压和开关损耗：即使使用MHz或更高，也可以降低栅极驱动电路

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インバータやDC-DCコンバータなどのパワー·エレクトロニクス回路では，高速スイッチングに適したパワーMOSFETがよく使用されます．パワーMOSFETは電圧駆動型デバイスなので，ゲートーソース間電圧V{sub}(GS)に10V程度の電圧を加えるとON状態になり，この電圧を除去するとOFF状態になります．実際のMOSFETのゲートソース間には比較的大きな静電容量C{sub}(GS)があるので，この充放電に必要なエネルギーをゲート駆動回路から供給します．

机译：逆变器和DC-DC转换器等电源电子电路通常使用适合于高速切换的功率MOSFET。由于功率MOSFET是电压驱动的装置，因此当向栅极源电压V {SUB}（GS）添加约10V的电压时，接通ON状态，并且该电压被移除以关闭。因为在实际MOSFET栅极源之间存在相对大的电容C {SUB}（GS），所以从栅极驱动电路提供该充电和放电所需的能量。

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来源
《トランジスタ技術》 |2006年第10期|共4页
作者
清水敏久; Toshihisa Shimizu;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
パワーMOSFET; カレント·トランス; 共振型ゲート駆動回路; スナバ回路; インダクタ; トランス; 電磁誘導現象; 自己誘導; 相互誘導; 2SK232; 11DQ04; SDP06S60; CT;

机译：电源MOSFET;电流互感器;谐振栅极驱动电路;缓冲电路;电感;变压器;电磁感应现象;自诱导;2SK232;11DQ04;SDP06S60;CT;CT;

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