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【24h】

世界トップ企業の直伝セミナ（22）－①PC特性②電圧-容量③AC特性MOSFETの3大基本特性測定

机译：世界顶级公司进行Semina（22）-1 PC特性2电压容量3 C性能MOSFET 3机芯特性测量

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摘要

本稿では基本特性となる静特性（I-V）と容量特性（C-V），およびスイッチング特性評価において．最新のパワー·デバイス評価に必要となる勘所を中心に紹介します．パワー·デバイスの特性を評価するためには，数百Vから1000Vを超える高電圧や数百Aから1000Aを超える大電流を扱う必要があります．高電圧測定は，パワー·デバイスのオフ特性や耐圧の評価に適しています．高電圧を加えながら微小電流を測定し，対数軸にプロットすると，リーク電流の大きさや電圧依存性カーブの形などからデバイスの出来·不出来を判断し，原因を推測できます．
机译：在本文中，我们是基本特征（IV）和电容特性（C-V）和切换特性评估。 我们将介绍最新的电源设备评估所需的选举。 为了评估功率装置的特性，需要处理大于1000V至1000V的高电压，以超过1000V的大电流。 高电压测量适用于功率器件的关闭特性和耐电压的评估。 如果测量在添加高电压的同时测量分钟电流并将其绘制在对数轴上，则可以确定设备的性能和电压依赖性曲线的形式，并估计原因。

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