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【24h】

Piezoresistive effect of p-type single crystalline 3C-SiC on (111) plane

机译：P型单晶3C-SiC对（111）平面的压阻作用

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This paper presents for the first time the effect of strain on the electrical conductivity of p-type single crystalline 3C-SiC grown on a Si (111) substrate. 3C-SiC thin film was epitaxially formed on a Si (111) substrate using the low pressure chemical vapor deposition process. The piezoresistive effect of the grown film was investigated using the bending beam method. The average longitudinal gauge factor of the p-type single crystalline 3C-SiC was found to be around 11 and isotropic in the (111) plane. This gauge factor is 3 times smaller than that in a p-type 3C-SiC (100) plane. This reduction of the gauge factor was attributed to the high density of defects in the grown 3C-SiC (111) film. Nevertheless, the gauge factor of the p-type 3C-SiC (111) film is still approximately 5 times higher than that in most metals, indicating its potential for niche mechanical sensing applications.
机译：本文首次呈现应变对在Si（111）衬底上生长的p型单晶3c-sic的电导率的影响。 使用低压化学气相沉积工艺在Si（111）衬底上外延形成3C-SiC薄膜。 使用弯曲梁法研究了生长膜的压阻效应。 发现p型单晶3C-SiC的平均纵向量因子在（111）平面中约为11和各向同性。 该规格因子比P型3C-SiC（100）平面小3倍。 该测量因子的这种降低归因于生长的3C-SiC（111）膜中的高密度缺陷。 然而，P型3C-SiC（111）膜的规格因子仍然比大多数金属高约5倍，表明其适用于利基机械传感应用的可能性。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2016年第26期|共6页
  • 作者

    Dao Dzung Viet; Phan Hoang-Phuong; Qamar Afzaal; Dinh Toan;

  • 作者单位

    Griffith Univ Queensland Micro &

    Nanotechnol Ctr Nathan Qld 4111 Australia;

    Griffith Univ Queensland Micro &

    Nanotechnol Ctr Nathan Qld 4111 Australia;

    Griffith Univ Queensland Micro &

    Nanotechnol Ctr Nathan Qld 4111 Australia;

    Griffith Univ Queensland Micro &

    Nanotechnol Ctr Nathan Qld 4111 Australia;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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