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Gate voltage-dependent magnetoresistance of Zn0.8Co0.2O:H

机译：Zn0.8Co0.2O：H的栅极电压依赖性磁阻

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The magnetoresistance of a hydrogenated Zn0.8Co0.2O film with an inverted thin film transistor structure was measured at 7 K, inmagnetic fields up to 3 T in order to verify the magnetoresistance dependency on carrier density. The gate voltage-dependent magnetoresistance was measured between 15 V and 15 V. A large positive magnetoresistance was identified at all gate biases. Changes in positive gate voltage did not result in significant changes in the magnetoresistance; however, an increase in negative gate voltage resulted in an increase in magnetoresistance and zero field resistivity. The magnetoresistance comprises a positive component, as a result of quantum conductivity correction due to the s-d exchange interaction, and a negative component induced by weak localization. The gate voltage-dependence of the positive and negative magnetoresistances was described by the density of states for ZnCoO:H.
机译：用倒薄膜晶体管结构的氢化Zn0.8Co0.2O膜的磁阻在7 k，磁场上测量，最多3℃，以验证磁阻依赖性对载体密度的依赖性。 栅极电压依赖性磁阻在15V和15V之间测量。在所有栅极偏压下鉴定出大的正磁阻。 正栅极电压的变化不会导致磁阻的显着变化; 然而，负栅极电压的增加导致磁阻和零场电阻率的增加。 由于S-D兑换相互作用导致的量子电导校正，磁阻包括正部件，以及通过弱定位诱导的负组分。 正极和负磁磁阻的栅极电压依赖性由ZnCoO的状态的密度描述：H。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2016年第100期|共5页
  • 作者

    Cheon Miyeon; Cho Yong Chan; Cho Chae-Ryong; Park Chul Hong; Jeong Se-Young;

  • 作者单位

    Pusan Natl Univ Crystal Bank Res Inst Miryang 50463 South Korea;

    Korea Res Inst Stand &

    Sci Daejeon 34113 South Korea;

    Pusan Natl Univ Dept Nanoenergy Engn Busan 46241 South Korea;

    Pusan Natl Univ Dept Phys Educ Busan 46241 South Korea;

    Pusan Natl Univ Dept Cognomechatron Engn Busan 46241 South Korea;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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