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Effect of UV light-induced nitrogen doping on the field effect transistor characteristics of graphene

机译：UV光诱导氮掺杂对石墨烯场效应晶体管特性的影响

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The effect of nitrogen doping on graphene was characterized without exposing the prepared specimen to the atmosphere. Nitrogen doping was done via a photochemical process at room temperature, in which graphene on SiO2/Si was irradiated by UV light in ammonia. Field effect transistor measurements revealed that the UV-irradiation of graphene in NH3 causes electron doping of similar to 10(12) cm(-2) (similar to 0.01%) as a result of N-doping, which can be controlled by changing the irradiation time. Comparing the transfer characteristics and the Raman spectra, we discuss the structure of the graphene functionalized via photochemical reactions, and the corresponding electronic structure.
机译：氮掺杂在石墨烯上的作用表征，而不将制备的样品暴露于大气。 通过在室温下通过光化学过程进行氮掺杂，其中通过氨中的UV光照射SiO 2 / Si上的石墨烯。 场效应晶体管测量显示，由于N掺杂的结果，NH 3中石墨烯的UV照射使电子掺杂类似于10（12 )cm（-2）（类似于0.01％），这可以通过改变 照射时间。 比较传递特性和拉曼光谱，我们讨论了通过光化学反应官能化的石墨烯的结构，以及相应的电子结构。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2015年第86期|共5页
  • 作者

    Imamura Gaku; Saiki Koichiro;

  • 作者单位

    Natl Inst Mat Sci Int Ctr Mat Nanoarchitecton MANA World Premier Int WPI Res Ctr Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;

    Univ Tokyo Grad Sch Frontier Sci Dept Complex Sci &

    Engn Kashiwa Chiba 2778561 Japan;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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