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【24h】

Enhanced performance of InGaN-based light-emitting diodes grown on volcano-shaped patterned sapphire substrates with embedded SiO2

机译：具有嵌入式SiO2的火山形图案蓝宝石基材上生长的基于IngaN的发光二极管的性能。

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This paper describes highly efficient InGaN-based light-emitting diodes (LEDs) grown on volcano-shaped patterned sapphire substrates with embedded SiO2 (SVPSS). Raman spectroscopy and transmission electron microscopy revealed that the LEDs grown on the SVPSS had high internal quantum efficiency resulting from relaxed compressive strain and fewer threading dislocations in the GaN epitaxial layers. Experimentally measured data and ray-tracing simulations suggested that the enhancement in the light extraction efficiency was due to the light scattering effect arising from the conical air voids and the gradual refractive index matching resulting from the embedded SiO2. Compared with a conventional LEDs operated at an injection current of 350 mA, the light output power from our LED grown on SVPSS was increased by 72%.
机译：本文介绍了在具有嵌入式SiO2（SVPS）的火山形图案化的蓝宝石衬底上生长的高效的IngaN的发光二极管（LED）。 拉曼光谱和透射电子显微镜显示，在SVPS上生长的LED具有高的内部量子效率，由松弛的压缩菌株和GAN外延层中的较少穿线脱位产生高的内部量子效率。 实验测量的数据和射线跟踪模拟表明，光提取效率的增强是由于锥形空隙产生的光散射效应和由嵌入式SiO2引起的逐渐折射率匹配。 与在350 mA的喷射电流下操作的传统LED相比，来自SVPS的LED的光输出功率增加了72％。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2015年第83期|共5页
  • 作者

    You Yao-Hong; Chu Fu-Chuan; Hsieh Han-Cheng; Wu Wen-Hsin; Lee Ming-Lun; Kuan Chieh-Hsiung; Lin Ray-Ming;

  • 作者单位

    Natl Taiwan Univ Grad Inst Elect Engn Dept Elect Engn Taipei 10617 Taiwan;

    Chang Gung Univ Grad Inst Elect Engn Tao Yuan 333 Taiwan;

    Chang Gung Univ Grad Inst Elect Engn Tao Yuan 333 Taiwan;

    Chang Gung Univ Grad Inst Elect Engn Tao Yuan 333 Taiwan;

    Natl Taiwan Univ Grad Inst Elect Engn Dept Elect Engn Taipei 10617 Taiwan;

    Natl Taiwan Univ Grad Inst Elect Engn Dept Elect Engn Taipei 10617 Taiwan;

    Chang Gung Univ Grad Inst Elect Engn Tao Yuan 333 Taiwan;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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