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Charge transfer from poly(3-hexylthiophene) to graphene oxide and reduced graphene oxide

机译：从聚（3-己基噻吩）的电荷转移到石墨烯氧化物和氧化石墨烯

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The energy levels of graphene oxide (GO) and reduced graphene oxide (rGO) were estimated in this work. We demonstrate that the energies of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied molecular orbital (HOMO) of GO become closer to each other upon reduction. GO and rGO were blended with poly(3-hexylthiophene) (P3HT) to form composite films and their optoelectronic properties were evaluated. It was found that both electrons and holes from photoexcited P3HT can transfer to rGO leading mostly to recombination while only electrons transfer to GO.
机译：在这项工作中估计了石墨烯（GO）和氧化石墨烯（RGO）的能量水平。 我们证明，在减少时，最低的未占分子轨道（Lumo）和最高占用的分子轨道（HOMO）的能量变得更加接近。 Go和Rgo与聚（3-己基噻吩）（P3HT）混合以形成复合膜，并评估它们的光电性质。 结果发现，来自光屏蔽的P3HT的电子和孔可以大多转移到RGO，主要用于重组，同时仅电子转移到去。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2015年第109期|共6页
  • 作者

    Fei Zheng; Wei-Long Xu; Han-Dong Jin;

  • 作者单位

    School of Physics and State Key Lab of Crystal Materials Shandong University Jinan 250100 China.;

    School of Physics and State Key Lab of Crystal Materials Shandong University Jinan 250100 China.;

    School of Physics and State Key Lab of Crystal Materials Shandong University Jinan 250100 China.;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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