• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>RSC Advances >Air-stable ambipolar organic field-effect transistors based on naphthalenediimide-diketopyrrolopyrrole copolymers
【24h】

Air-stable ambipolar organic field-effect transistors based on naphthalenediimide-diketopyrrolopyrrole copolymers

机译：基于萘二酰亚胺 - 二酮吡咯唑共聚物的空气稳定的Ambolar有机场效应晶体管

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Two air-stable polymeric semiconductors were rationally designed and synthesized, namely PNDI-DPP and PNDI-T(DPP)T, containing naphthalenediimide (NDI) units and diketopyrrolopyrrole (DPP). The coplanar thiophene-substituted DPP moieties act as donors rather than acceptors, even though DPP is an electron-deficient core. In a bottom-gate/top-contact device architecture, the effect of changing the number of thiophene linkers on the performance of the two completely different OFETs was investigated. PNDI-T(DPP)T presented unipolar p-type behaviour with an average hole mobility of 0.02 cm(2) V-1 s(-1), while PNDI-DPP exhibited ambipolar transport with average electron and hole mobilities of 5.7 x 10(-3) and 1.6 x 10(-3) cm(2) V-1 s(-1), respectively. Moreover, OFETs based on the two polymers showed good air-stability with negligible changes after being stored under ambient conditions for over 3 months.
机译：两个空气稳定的聚合物半导体合理地设计和合成，即含有萘二酰亚胺（NDI）单位和二酮吡咯（DPP）的PNDI-DPP和PNDI-T（DPP）T.。 共面噻吩取代的DPP部分充当捐赠者而不是受体，即使DPP是电子缺陷的核心。 在底门/顶部接触装置架构中，研究了改变噻吩接头数对两个完全不同的特征的性能的影响。 PNDI-T（DPP）T呈现单极p型行为，平均空穴迁移率为0.02cm（2）V-1 s（-1），而PNDI-DPP表现出平均电子和孔迁移率为5.7 x 10的amipolar运输 （-3）和1.6×10（-3）cm（2）V-1 s（-1）。 此外，基于两种聚合物的OFETS显示出良好的空气稳定性，在环境条件下储存超过3个月后的可忽略变化。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2015年第25期|共8页
  • 作者

    Wang Ping; Li Hui; Gu Chunling; Dong Huanli; Xu Zhenzhen; Fu Hongbing;

  • 作者单位

    Capital Normal Univ Dept Chem Beijing Key Lab Opt Mat &

    Photon Devices Beijing 100048 Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Chem Beijing Natl Lab Mol Sci Beijing 100190 Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Chem Beijing Natl Lab Mol Sci Beijing 100190 Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Chem Beijing Natl Lab Mol Sci Beijing 100190 Peoples R China;

    Capital Normal Univ Dept Chem Beijing Key Lab Opt Mat &

    Photon Devices Beijing 100048 Peoples R China;

    Capital Normal Univ Dept Chem Beijing Key Lab Opt Mat &

    Photon Devices Beijing 100048 Peoples R China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号