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【24h】

High-performance InGaZnO thin-film transistor incorporating a HfO2/Er2O3/HfO2 stacked gate dielectric

机译：高性能Ingazno薄膜晶体管掺入HFO2 / ER2O3 / HFO2堆叠栅极电介质

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In this paper, a HfO2/Er2O3/HfO2 (HEH) stacked structure was developed as a gate dielectric for amorphous InGaZnO (alpha-IGZO) thin-film transistor (TFT) applications. Atomic force microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy were used to study the morphological and chemical features of Er2O3 and HEH films. In comparison to the Er2O3 dielectric, the alpha-IGZO TFT device incorporating a HEH stacked dielectric exhibited a lower threshold voltage of 0.7 V, a higher I-on/I-off current ratio of 2.86 x 10(7), a larger field-effect mobility of 15.8 cm(2) V-1 s(-1), and a smaller subthreshold swing of 101 mV per dec, suggesting a smooth surface at the dielectric-channel interface. Furthermore, the threshold voltage stability of alpha-IGZO TFT under positive gate voltage stress can be improved by using a HEH stacked structure.
机译：在本文中，开发了HFO2 / ER2O3 / HFO2（HEH）堆叠结构作为无定形Ingazno（α-IGZO）薄膜晶体管（TFT）应用的栅极电介质。 原子力显微镜和X射线光电子能谱用于研究ER2O3和HEH膜的形态学和化学特征。 与ER2O3电介质相比，包含HEH堆叠电介质的α-IGZO TFT器件表现出0.7V的较低阈值电压，I-ON / I关电流比为2.86×10（7），更大的场景 - 效应迁移率为15.8cm（2）V-1 s（-1），以及101mV的较小亚阈值摆动，每个DEC为101 mV，介绍电介质通道界面的光滑表面。 此外，可以通过使用HEH堆叠结构来提高正栅极电压应力下α-IGZO TFT的阈值电压稳定性。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2015年第63期|共4页
  • 作者

    Pan Tung-Ming; Chen Fa-Hsyang; Shao Yu-Hsuan;

  • 作者单位

    Chang Gung Univ Dept Elect Engn Taoyuan 333 Taiwan;

    Chang Gung Univ Dept Elect Engn Taoyuan 333 Taiwan;

    Chang Gung Univ Dept Elect Engn Taoyuan 333 Taiwan;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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