...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Cell metabolism >The Integrated Stress Response: A Central Memory Switch in Down Syndrome
【24h】

The Integrated Stress Response: A Central Memory Switch in Down Syndrome

机译：综合应力响应：中央存储器切换唐氏综合症

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Genetic and pharmacological evidence causally demonstrate that the integrated stress response (ISR) is a central molecular switch for long-term memory formation across different species. Zhu et al. (2019) recently demonstrated that persistent activation of the ISR could explain the long-term memory and synaptic plasticity deficits in a mouse model of Down syndrome, the most common genetic cause of intellectual disability.
机译：遗传和药理学证据随时证明综合应力响应（ISR）是用于不同物种的长期记忆形成的中央分子开关。 zhu等。 （2019年）最近证明，ISR的持续激活可以解释唐氏综合征小鼠模型中的长期记忆和突触可塑性缺陷，智力残疾最常见的遗传原因。

著录项

  • 来源
    《Cell metabolism》 |2020年第1期|共4页
  • 作者

    Rosi Susanna; Frias Elma S.;

  • 作者单位

    Univ Calif San Francisco Dept Phys Therapy &

    Rehabil Sci San Francisco CA 94143 USA;

    Univ Calif San Francisco Dept Phys Therapy &

    Rehabil Sci San Francisco CA 94143 USA;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 内分泌腺疾病及代谢病;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号