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机译:坩埚旋转和坩埚尺寸在单晶硅碳化物粒子溶液生长中的影响
Department of Materials Engineering ScienceOsaka UniversityToyonaka Osaka 560‐8531 Japan;
Department of Materials Engineering ScienceOsaka UniversityToyonaka Osaka 560‐8531 Japan;
Department of Materials Engineering ScienceOsaka UniversityToyonaka Osaka 560‐8531 Japan;
Department of Materials Engineering ScienceOsaka UniversityToyonaka Osaka 560‐8531 Japan;
Department of Material Process for Circulatory SocietyTohoku UniversitySendai Miyagi 980‐8579 Japan;
Department of Materials ScienceNagoya UniversityChikusa‐ku Nagoya 464‐8603 Japan;
Crystal Growth LaboratoryUniversity of VictoriaVictoria BC V8W 3P6 Canada;
numerical simulation; silicon carbide; top‐seeded solution growth;
机译:坩埚旋转和坩埚尺寸在单晶硅碳化物粒子溶液生长中的影响
机译:通过使用顶层溶液生长使用Fe-Allant Y 2 O 3坩埚增强YBA2(Cu1-Xfex)(3)O(3)O(7-Δ)单晶的均匀性
机译:不同晶体和坩埚旋转速率下Φ450mm Czochralski生长的硅单晶生长过程中V / G的模拟
机译:坩埚形状在SiC晶体中冠状溶液生长
机译:垂直坩埚旋转加速坩埚技术在垂直布里奇曼生长的铟镓铟中的溶质再分布和组织过冷效果。
机译:挪威碳化硅行业中纤维结晶二氧化硅碳化硅和二氧化硫的暴露
机译:在加速坩埚旋转条件下通过行进加热器方法生长Hg1-xCdxTe单晶