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High-Temperature Precipitation of Impurities within the Vlasov Model for Solids

机译:Vlasov模型中的杂质的高温沉淀,用于固体

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摘要

It is shown that the Vlasov model for a solid describes the complexing processes when growing real crystals with allowance for the thermal growth conditions. It makes it possible (along with the classical theory of nucleation and growth of second-phase particles in solids) to calculate the defect crystal structure that was formed during the growth. It is established that the high-temperature impurity precipitation is directly related to the subsequent transformation of the defect structure when manufacturing of silicon devices. A qualitative model of the formation of electric centers is proposed, which directly relates their origin to the initial defect structure of silicon. It is shown that the concepts and principles of the Vlasov physics are absolutely applicable in solid-state physics.
机译:结果表明,用于固体的Vlasov模型描述了当生长具有热生长条件的余量的实际晶体时描述络合过程。 它使得可以(以及固体核心的经典理论和固体中的第二相颗粒的生长)以计算在生长过程中形成的缺陷晶体结构。 建立高温杂质沉淀与硅装置制造时的缺陷结构的随后转换直接相关。 提出了一种特性模型,形成了电中心的形成,直接将其起源与硅的初始缺陷结构相关联。 结果表明,Vlasov物理学的概念和原则绝对适用于固态物理学。

著录项

  • 来源
    《Crystallography reports》 |2019年第4期|共5页
  • 作者

    Talanin V. I.; Talanin I. E.;

  • 作者单位

    Zaporozhye Inst Econ &

    Informat Technol UA-69015 Zaporozhe Ukraine;

    Zaporozhye Inst Econ &

    Informat Technol UA-69015 Zaporozhe Ukraine;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 晶体学;
  • 关键词

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