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首页> 外文期刊>Crystal growth & design >Effective Suppression of Surface Recombination in ZnO Nanorods Arrays during the Growth Process
【24h】

Effective Suppression of Surface Recombination in ZnO Nanorods Arrays during the Growth Process

机译：生长过程中有效抑制ZnO纳米棒阵列中的表面重组。

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ZnO nanorods arrays are respectively prepared under different vapor pressures with opening (OZN) or sealing (SZN) of the beaker. The results from time-resolved photoluminescence measurements indicate that sealing the beaker during the growth process can effectively suppress the surface recombination of ZnO nanorods, and the suppression effect is even better than a 500 degrees C post-thermal treatment or OZN samples. The results from X-ray photoelectron spectroscopy measurements reveal that the main reason for this phenomenon is that the surfaces of the SZN samples are attached by groups related to NH3 instead of the main surface recombination centers such as OH and groups in the OZN samples. The ammonia surface treatment on both OZN and SZN samples further testifies that the absorption of the groups related to NH3 does not contribute to the surface recombination on the ZnO nanorods.
机译：ZnO纳米棒阵列分别在不同的蒸气压下通过烧杯的开口（OZN）或密封（SZN）制备。时间分辨的光致发光测量结果表明，在生长过程中密封烧杯可有效抑制ZnO纳米棒的表面复合，其抑制效果甚至优于500℃的后热处理或OZN样品。 X射线光电子能谱测量的结果表明，此现象的主要原因是SZN样品的表面是通过与NH3相关的基团连接的，而不是通过主要表面重组中心（例如OH）和OZN样品中的基团连接的。在OZN和SZN样品上进行氨气表面处理进一步证明，与NH3相关的基团的吸收对ZnO纳米棒上的表面重组没有帮助。

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