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Unlimited growth of III-V bulk crystals by liquid-phase electroepitaxy

机译：液相电表象法无限生长III-V块状晶体

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A new liquid-phase technique allowing one to grow large-size single crystals in nearly isothermal conditions by application of electric current flow is presented. The technique, denoted as contactless liquid-phase electroepitaxy (CLPEE), removes the most important drawback of standard liquid-phase electroepitaxy (LPEE), i.e., superheating of the growing crystal by Joule heat generation. The CLPEE growth method paves the way to obtain large-diameter high crystalline quality single crystals with potentially unlimited thickness. In an illustration of the method, results of time-dependent simulations of growth of GaAs by current-controlled contactless liquid-phase electroepitaxy (CLPEE) are reported.
机译：提出了一种新的液相技术，该技术可以通过施加电流在接近等温的条件下生长大尺寸的单晶。称为非接触式液相电抗静电（CLPEE）的技术消除了标准液相电抗静电（LPEE）的最重要缺点，即通过焦耳热产生的生长晶体过热。 CLPEE生长方法为获得具有潜在无限厚度的大直径高结晶质量单晶铺平了道路。在该方法的说明中，报告了通过电流控制的非接触液相电外延（CLPEE）进行的GaAs生长随时间变化的模拟结果。

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