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首页> 外文期刊>Crystal growth & design >Aluminum nitride crystal growth from an Al-N system at 6.0 GPa and 1800 °c
【24h】

Aluminum nitride crystal growth from an Al-N system at 6.0 GPa and 1800 °c

机译：在6.0 GPa和1800°c的条件下从Al-N系统生长氮化铝晶体

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We report on hexagonal aluminum nitride (h-AlN) crystal growth in the Al-N system by means of AlN recrystallization in the field of a temperature gradient at 6 GPa and 1800 ?C. A special setup for h-AlN growth using a multianvil apparatus has been developed, which allows the growth of colorless transparent h-AlN single crystals. Crystals exhibited two distinct morphological types. The first is short prismatic and platelet-like crystals with smooth faces and a size up to 0.4 mm. The second is skeleton crystals elongated along the [12?10] direction and flattened along the (0001) plane with a size of up to 1.0 mm. Crystals have been characterized by scanning electron microscopy, Raman spectroscopy, and electron backscattered diffraction methods. The growth mechanism and main factors determining the crystal habit and growth rate in a high-pressure solution method are discussed. We also discuss the possibility of using the employed technique for cubic aluminum nitride (c-AlN) crystal growth.
机译：我们报告了在6 GPa和1800°C的温度梯度场中通过AlN重结晶在Al-N系统中六方氮化铝（h-AlN）晶体的生长。已经开发了使用多砧装置进行h-AlN生长的特殊装置，该装置可以生长无色透明的h-AlN单晶。晶体表现出两种不同的形态类型。第一种是短棱柱状和片状晶体，表面光滑，尺寸最大为0.4 mm。第二个是骨架晶体，其沿[12→10]方向伸长并沿（0001）平面变平，最大尺寸为1.0 mm。晶体已通过扫描电子显微镜，拉曼光谱和电子背散射衍射法表征。讨论了在高压溶液法中确定晶体习性和生长速率的生长机理和主要因素。我们还将讨论使用所采用的技术进行立方氮化铝（c-AlN）晶体生长的可能性。

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