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首页> 外文期刊>Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography >Investigation of GaN crystal quality on silicon substrates using GaN/AlN superlattice structures
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Investigation of GaN crystal quality on silicon substrates using GaN/AlN superlattice structures

机译：使用GaN / AlN超晶格结构研究硅衬底上的GaN晶体质量

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The crystal quality of GaN thin film on silicon using GaN/AlN superlattice structures was investigated. The growth was carried out on Si(111) for GaN(0001) in a metal-organic vapor phase epitaxy system. Various GaN/AlN superlattice intermediate layers have been designed to decrease the dislocation density. The results showed that the etch pit density could be greatly reduced by one order of magnitude. Cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) study confirmed the efficiency of GaN/AlN superlattice in blocking threading dislocation propagation in GaN crystal. The design of nine period GaN/AlN (20nm/2nm) superlattice has been evidenced to be effective in reducing the dislocation density and improving the crystal quality. In addition, the dislocation bending in GaN/AlN interface and dislocation merging is investigated. (c) 2007 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
机译：研究了使用GaN / AlN超晶格结构的硅上GaN薄膜的晶体质量。在金属-有机气相外延系统中，在GaN（0001）的Si（111）上进行生长。已经设计了各种GaN / AlN超晶格中间层以降低位错密度。结果表明，刻蚀坑的密度可以大大降低一个数量级。截面透射电子显微镜（XTEM）研究证实了GaN / AlN超晶格在阻止GaN晶体中的螺纹位错传播方面的效率。事实证明，九周期GaN / AlN（20nm / 2nm）超晶格的设计可有效降低位错密度并改善晶体质量。另外，研究了GaN / AlN界面的位错弯曲和位错合并。 （c）2007威利海姆威莱赫-维奇出版社有限公司。

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