Design of low power, high speed 4 bit binary to Gray converter with 8x4 barrel shifter using nano dimensional MOS transistor for arithmetical, logical and telecommunication circuit and system application

Bari Surajit; De Debashis; Sarkar Angsuman

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Design of low power, high speed 4 bit binary to Gray converter with 8x4 barrel shifter using nano dimensional MOS transistor for arithmetical, logical and telecommunication circuit and system application

机译：使用纳米尺寸MOS晶体管为算术，逻辑和电信电路和系统应用设计低功耗，高速4位二进制与灰色转换器的灰色转换器，具有纳米尺寸MOS晶体管和系统应用

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In this work the design of 4 bit binary to Gray code converter circuit with 8x4 barrel shifter has been carried out. The circuit has been designed using metal oxide semiconductor (MOS) transistor. The verification of the functionality of the circuits has been performed using Tanner-SPICE software. Power consumption and speed are the major design metrics for very large scale integrated circuit. In this work the average power consumption and gate delay analysis of 4 bit binary to Gray converter with 8x4 barrel shifter has been carried out using nano dimensional MOS transistor having channel length of 150nm. Power consumption, delay analysis has been carried out for different set of supply voltage. It has been observed that power consumption of the 4 bit binary to Gray converter with 8x4 barrel shifter has been reduced by reducing the power supply voltage V-DD. The power consumption and delay offers by the circuit is very less. At 1V V-DD, power consumption and delay are 0.15W and 52.7ps respectively. Therefore the circuit is suited for low power and high speed application in the area of arithmetical, logical and telecommunication.

机译：在这项工作中，已经执行了4位二进制与灰码转换器电路的设计，已经执行了具有8x4桶移位器的。该电路已经使用金属氧化物半导体（MOS）晶体管设计。使用Tanner-Spice软件进行了对电路功能的验证。功耗和速度是非常大规模集成电路的主要设计指标。在这项工作中，使用具有8×4桶移位器的4位二进制到灰色转换器的平均功耗和栅极延迟分析已经使用纳米尺寸MOS晶体管进行150nm的通道长度。功耗，为不同的电源电压进行了延迟分析。已经观察到，通过减小电源电压V-DD，已经减少了具有8x4桶移位器的4位二进制到灰色转换器的功耗。电路的功耗和延迟优惠非常少。在1V V-DD，功耗和延迟分别为0.15W和52.7ps。因此，电路适用于算术，逻辑和电信领域的低功率和高速应用。

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来源
《Microsystem technologies》 |2019年第5期|共7页
作者
Bari Surajit; De Debashis; Sarkar Angsuman;
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作者单位

Narula Inst Technol ECE Dept Kolkata India;

Maulana Abul Kalam Azad Univ Technol Dept Comp Sci &

Engn Kolkata WB India;

Kalyani Govt Engn Coll ECE Dept Kalyani W Bengal India;

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
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