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首页> 外文期刊>AEU: Archiv fur Elektronik und Ubertragungstechnik: Electronic and Communication >Extraction of small-signal equivalent circuit model parameters for Si/SiGe HBT using S-parameters measurements and one geometrical information
【24h】

Extraction of small-signal equivalent circuit model parameters for Si/SiGe HBT using S-parameters measurements and one geometrical information

机译：使用S参数测量和一个几何信息提取Si / SiGe HBT小信号等效电路模型参数

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A physical and simple method is proposed to extract the hybrid-pi small-signal equivalent circuit model of Si/SiGe hetero-junction bipolar transistor (HBT). In this method, we use test (dummy) structures to extract by means of fitting techniques the extrinsic bias-independent parameters representing the contact pads plus the transmission line connections to the core of the active device. All intrinsic bias-dependent parameters are calculated analytically from S-parameters only. The ratio of the area of the emitter contact to base area is used to solve the base-collector feedback problem due to the distributed nature of the base. Using this physical (geometry) constraint instead of the measured direct current (DC) information helps to get more reliable parameters and easier calculations. When we applied this methodology, a good agreement is obtained between the modelled S-parameters with the corresponding measured ones over the broad band from 40 MHz to 20.02 GHz. The error for three different bias points was less than 1.2%. (c) 2005 Elsevier GmbH. All rights reserved.
机译：提出了一种物理简单的方法来提取Si / SiGe异质结双极晶体管（HBT）的混合π小信号等效电路模型。在这种方法中，我们使用测试（虚拟）结构通过拟合技术来提取代表接触垫的外在偏置无关参数，以及与有源器件核心的传输线连接。所有与固有偏差有关的参数仅通过S参数进行解析计算。由于基极的分布特性，发射极接触面积与基极面积之比用于解决基极-集电极反馈问题。使用此物理（几何）约束代替测量的直流（DC）信息有助于获得更可靠的参数和更轻松的计算。当我们应用这种方法时，在40 MHz至20.02 GHz的宽带范围内，建模的S参数与相应的测得参数之间已获得良好的一致性。三个不同偏置点的误差小于1.2％。 （c）2005 Elsevier GmbH。版权所有。

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